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西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12
北京京誠宏泰科技有限公司供應西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12
西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)地:德國
西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)品類(lèi)型:?jiǎn)喂躨gbt
西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)品參數:1600V 1200A
北京京誠宏泰科技銷(xiāo)售SIEMENS西門(mén)子變頻器備件:IGBT模塊,晶閘管,鋁電解電容,變頻器驅動(dòng)板,勵磁板,風(fēng)機,電阻,整流二極管,IGBT逆變單元,硅整流單元,快速熔斷器。
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北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售供應IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管電容 西門(mén)子模塊6SY7000-0AB12
IGBT
IGBT是什么?
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
優(yōu)點(diǎn):熱穩定性好、安全工作區大。
缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。
IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
特點(diǎn):擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動(dòng)機
不間斷電源
太陽(yáng)能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐
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