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富士IGBT模塊2MBI300U4H-120
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對直流的轉換器 已被廣泛使用，如直流電機的速度控制、交換式電源供應器(Switching-Power-Supply)等。
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英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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東芝IGBT模塊MG50Q2YS40
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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東芝IGBT模塊MG600Q1US51
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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賽米控IGBT模塊SKM75GB123D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM75GB128D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM100GB124D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM145GB124D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM150GB124D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM150GB128D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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西門(mén)康IGBT模塊SKM200GB124D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM300GB123D西門(mén)康
北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 賽米控IGBT模塊SKM300GB123D西門(mén)康
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賽米控IGBT模塊SKM400GB176D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著(zhù)廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機控制器的線(xiàn)性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制
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代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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